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2024欢迎访问##黑河TS-BDA3DE直流电流变送器一览表
发布用户:yndlkj
发布时间:2024-10-07 01:02:40
2024欢迎访问##黑河TS-BDA3DE直流电流变送器一览表
湖南盈能电力科技有限公司,专业仪器仪表及自动化控制设备等。主要产品有:数字电测仪表,可编程智能仪表,显示型智能电量变送器,多功能电力仪表,网络电力仪表,微机电动机保护装置,凝露控制器、温湿度控制器、智能凝露温湿度控制器、关状态指示仪、关柜智能操控装置、电流互感器过电压保护器、断路器分合闸线圈保护装置、DJR铝合金加热器、EKT柜内空气调节器、GSN/DXN-T/Q高压带电显示、干式(油式)变压器温度控制仪、智能除湿装置等。
本公司全系列产品技术性能指标全部符合或优于 标准。公司本着“以人为本、诚信立业”的经营原则,为客户持续满意的产品及服务。
度是衡量电子测量仪器性能 重要的指标,通常由读数精度、量程精度两部分组成。本文结合几个具体案例,讲述误差的产生、计算以及标定方法,正确理解精度指标能够帮助您选择合适的仪器仪表。测量误差的定义误差常见的表示方法有:误差、相对误差、引用误差。1)误差:测量值x*与其被测真值x之差称为近似值x*的误差,简称ε。计算公式:误差=测量值-真实值;2)相对误差:测量所造成的误差与被测量(约定)真值之比乘以 所得的数值,以百分数表示。
由于该设备已经由运营商在现场部署,一种易于使用、高性能的解决方案对于维持客户和利用现有设备是至关重要的。使用5G射频下变频器虽然5G无线将很好地扩展到高带宽,但是现有的频谱分析设备是为使用低于6GHz的信号的3G/4G/LTE网络而设计的。这意味着RF设备商留下了一个选择——建造新设备,或者用RF下变频器延长现有硬件的寿命。从中短期来看,与射频下变频器集成比构建新的解决方案具有许多优势。
测试CAN总线的负载率,并没有固定的测试标准,大多数的CAN测试设备都可以对总线负载率检测。我司测试时经常使用CANScope或者CAN卡进行总线负载率测试,而测试的方法则是计算每秒接收到的CAN总线上的帧数,根据帧数的大小配以算法得出此时的总线负载率。1M波特率,1s传输1Mbit的数据,则负载率达到了 。除瞬时负载率外,CANScope里还有有通过流量分析得出接收报文的负载率情况,与上述的实时侦测帧数计算有些区别的是,流量分析是通过波形占用总线的时间作为参考,相比于实时帧数计算更具有说服性。
借助此表可完成:查看制冷系统高、低压端运行压力。指示系统保压状态(系统存在泄漏或者气密性良好)。辅助判断抽真空时管道杂质去除程度。通过压力判断制冷剂充注程度。但此种压力表在实际使用中亦存在不足,从而影响使用体验,:指针刻度式读数,容易因观察角度造成读数误差。压力精度为±1.6%,测量高压时误差较大。压力传感器指示真空度较差,无法检测中、高真空。充注时只能压力数据,据此判断充注不。解决方案:客户在现场也了德图的电子式冷媒压力表testo557.与指针式表不同,电子冷媒表实现了:1.数字式显示高、低压端压力及温度情况。
X射线光谱分析仪的好坏常常是以X射线强度测量的理论统计误差来表示的,BX系列波长色散X射线荧光仪的稳定性和再现性,已足以保证待测样品分析测量的精度,被分析样品的制样技术成为影响分析准确度的至关重要的因素,在样品方面所花的工夫将会反映在分析结果的质量上。X射线荧光仪器分析误差的来源主要有以下几个方面:1.采样误差:非均质材料样品的代表性2.样品的:制样技术的稳定性产生均匀样品的技术3.不适当的标样:待测样品是否在标样的组成范围内标样元素测定值的准确度标样与样品的稳定性4.仪器误差:计数的统计误差样品的位置灵敏度和漂移重现性5.不适当的定量数学模型:不正确的算法元素间的干扰效应未经校正颗粒效应纯物质的荧光强度随颗粒的减小而增大,在多元素体系中,已经证明一些元素的强度与吸收和增应有关,这些效应可以引起某些元素的强度增加和另一些元素的强度减小。
在过去10余年里,车用半导体厂商发出了若干个车门执行机构驱动器芯片,并随着汽车电气负载数量不断增加,给这些产品增加了新功能,对封装以及芯片技术和IP内核进行了优化。在车门区电子元器件中,除驱动芯片()外,还有一个电源管理IC,为电控单元更强的系统电源,包括各种待机模式和通信层(主要是LIN和/或HSCAN)。电源管理芯片通常集成两个低压差稳压器,为系统微控制器和外设负载(传感器等外设)供电,还包含增强型系统待机功能,以及可设置的本地和远程唤醒功能。
与其他灵敏的SMU相比,4201-SMU和4211-SMU的电容指标已经提高,这些SMU模块用于可配置的Model4200A-SCS参数分析仪,使用Clarius+软件进行交互控制。本文探讨了4201-SMU和4211-SMU可以进行稳定的弱电流测量的多种应用实例,包括测试:平板显示器上的OLED像素器件、长电缆MOSFET传递特点、通过关矩阵连接的FET、卡盘上的纳米FETI-V测量、电容器泄漏测量。