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于是，为了进一步减小解决方案的尺寸，有许多多输出IC可供选择。这些IC通常包括集成的MOS场效应晶体管(MOSFET)，同时至少要求配置有外部组件。而且，单就这些IC而言，其成本或许更为昂贵。通过减少生产过程中必须到位的外部组件数量所获得的收益，往往会抵消前期付出的高昂成本。采用何种拓扑结构呢?在如所示的实际应用中，由于空间的限制，所以LDO将成为我们的。然而，由于功耗和效率的限制，实际情况并非总是如此。
此方案主要是利用变压器产生负电压在通过线性稳压器7905进行稳压。电源模块输出负电压由于电子元件工艺技术越来越好，能量损耗越来越低，这样一来越来越有利于电源的模块化发展。而且在设计上也能到小型化，轻型化设计。非隔离负压输出负电压如所示，此电源模块应用与常用的LM7805类似，而且不需要散热片。如上图，我们需要正负电压给运放等供电时，只需要两个E78xxOS-500电源即可实现。隔离电源模块输出正负电压在电力、工业、通讯等对抗干扰性能要求较高的场合，一般需要对电源进行隔离来隔离从总电源端的干扰。
半导体器件的跌价使得电源转换和控制的成本降低。许多直流电机被交流电机所取代，后者带来了效率和可靠性提高等优势。刷式直流电机的主题多种多样，如直流并联电机和通用电机，两者都使用定子线圈代替 磁性。在直流并联电机中，定子线圈与转子电路并联;而在通用电机中，定子线圈与转子串联。通用电机在家电应用中尤其常用，因为它具有高启动扭矩，可以高速运行。只需添加串联晶闸管并进行交流相位控制，便可轻松对通用电机进行速度控制。
测试原理地线漂移：利用电源不断抬高DUT的GND，测试总线通讯正常时，DUT所允许的地线漂移。地线丢失：使DUT单独掉地，测试1分钟内DUT是否仍然正常工作。电源丢失：使DUT单独丢失电源，测试总线是否受到干扰，重接电源后DUT是否能恢复通讯。CAN线中断：测试在CAN_H断1分钟，重连后DUT是否能恢复通讯。CAN_L断1分钟，重连后DUT是否能恢复通讯。CAN_H和CAN_L同时断1分钟，重连后DUT是否能恢复通讯。
当外界热激励时，缺陷的存在会影响热传导，导致表面温度分布异常或表面温度随时间的变化异常。采用红外热像仪测量被检复合材料构件表面温度变化，通过一定的信号，甚至借助于参块，获得其表面或内部缺陷的特征（包括缺陷的位置、大小及性质等）。一般来说，缺陷越大，越靠近被检表面，与基体材料的热性质差别越大，越容易被检测出来。1应用特点红外热像检测是无损检测方法之一，具有直观、快速、无污染、一次检测面积大等优点，适用于复合材料构件的现场、快速检测，如器结构的原位检测。
拿出征能ES325E仪表。测量绝缘电阻的原理图及接线图如下。拿黑色线钳住电动机的外壳上。用红色表笔接触电动机电压输入端。对应的颜色插入仪表。将旋转关转到Ω档，默认电压是25V。按黄色VSEL键选择电压档位。此时选择的是5V档位。按红色TEST键始测量。电源指示灯一直在亮，证明检测中，稍等片刻。电源指示灯不亮了，测量完成，此时用征能ES325E数字绝缘电阻表（5V）测量出来的绝缘电阻值为：8.85KMΩ。
另外，晶体管也可能产生相似的爆裂噪声和闪烁噪声，其产生机理与电阻中微粒的不连续性相近，也与晶体管的掺杂程度有关。半导体器件产生的散粒噪声由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数量改变，从而显现出电容效应。当外加正向电压升高时，N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动，相当于对电容充电。当正向电压减小时，它又使电子和空穴远离耗尽区，相当于电容放电。当外加反向电压时，耗尽区的变化相反。当电流流经势垒区时，这种变化会引起流过势垒区的电流产生微小波动，从而产生电流噪声。